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什么时候可以同步整流提高效率?

同步整流通过用效率更高的场效应管代替整流二极管来提高电源效率。本演示将解释什么是同步校正,以及如何确定它是否适合您

削减待机功耗和系统成本

行业标准,如行为准则(CoC)二级和能源部(DOE)六级要求备用电源性能。在本演示中,我们将讨论交流-直流供电子系统中的功率损耗来源,它有助于提高备用功率,以及如何利用低功率模式不仅降低备用功率,而且在不牺牲系统性能的情况下降低系统成本。

深度掌握隔离驱动器瞬态共模噪音抑制及其特性

瞬态共模噪音抑制(Common Mode Transient Immunity, CMTI)是隔离栅极驱动,半桥(高侧/低侧)栅极驱动非常关键的一个参数。瞬态共模噪音抑制是隔离栅极驱动器在有瞬态电压加在隔离驱动器两个参考地之间时, 包括瞬态上升沿和瞬态下降沿,隔离栅极驱动器仍然能够正常稳定工作的瞬态电压最高值。 本篇培训材料深入探讨CMTI的定义,标准要求,测试方法,以及设计要求以及注意事项。

熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计

本篇培训材料在介绍最新的功率半导体栅极驱动的基本要求的基础上深入探讨了电路寄生参数对驱动的设计影响,对比了软开关和硬开关驱动的设计特点和区别,也深入探讨了CMTI及其PCB的优化设计指导。

LLC控制:更快,更强,更好

讲解LLC为什么会这么流行的原因?如何让LLC设计的更快,更强,更好?内容包括对比LLC和其他拓扑的优缺点,LLC的关键特点和设计实例,以及如何使用HHC得到更快的动态响应并提高轻载效率的间歇模式。

设计超高功率密度的小功率AC-DC电源

高效高功率密度电源是市场的发展趋势,TI是市场第一个发布了有源嵌位反激变换器的控制IC方案UCC28780和UCC24612。本课程首先介绍有源嵌位反激变换器的工作原理,再介绍UCC28780和UCC24612的主要功能和特点;最后建议设计时须考虑的点。

USB type C PD协议设计考量

本课程将会简单介绍USB Type C和PD协议的规范要求,重点介绍为了满足这些新的要求,AC/DC的电源应该采用什么样的系统架构。

如何驱动碳化硅MOSFET以优化高功率系统的性能和可靠性

本课程概述了碳化硅(SiC)材料的特点以及基于SiC材料的MOSFET的卓越性能,描叙了一些SiC MOSFET的应用领域包括太阳能和电动汽车。 详细讨论了SiC MOSFET的驱动设计要求,以及简单介绍了几款TI SiC MOSFET驱动产品。

GaN产品应用于可靠和高密度电源的设计

本课程重点介绍了氮化镓(GaN)功率器件的概述, 以及深入地讨论了如何利用GaN产品进行可靠, 高密度GaN电路的设计, 特别针对99%效率的PFC以及1MHz的LLC电路设计。